全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)進(jìn)入復(fù)蘇周期 價(jià)格不斷上漲 我國(guó)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速下迎新機(jī)遇

一、行業(yè)發(fā)展概述

根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展深度研究與投資趨勢(shì)調(diào)研報(bào)告（2024-2031年）》顯示，存儲(chǔ)芯片又稱為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要是指以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，通常用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲(chǔ)芯片具有存儲(chǔ)速度快、體積小等特點(diǎn)，廣泛運(yùn)用于U盤(pán)、內(nèi)存、消費(fèi)電子、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)、智能終端等領(lǐng)域。目前對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)而言，存儲(chǔ)芯片主要以兩種方式實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化；一是ASIC技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片，二是FPGA 技術(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片。其中ASIC(專用集成電路)在存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。

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二、市場(chǎng)觸底反彈，目前存儲(chǔ)芯片行業(yè)進(jìn)入復(fù)蘇周期

進(jìn)入2022年，受受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存高企影響，全球存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)“史無(wú)前例”的危機(jī)，例如三星電子利潤(rùn)暴跌97%，SK海力士創(chuàng)紀(jì)錄虧損，美光科技、西部數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)大廠庫(kù)存攀升，存儲(chǔ)芯片價(jià)格跌入谷底等。

再上述環(huán)境下，自2023年一季度開(kāi)始，三星、SK 海力士、美光、西部數(shù)據(jù)和鎧俠等廠商紛紛宣布減少產(chǎn)能，廠商降低關(guān)于存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的資本性支出，到2023年第三季度隨著減產(chǎn)效應(yīng)開(kāi)始奏效，供需關(guān)系持續(xù)改善。各大廠商不約而同的減產(chǎn)計(jì)劃促使存儲(chǔ)周期提前，從2023下半年存儲(chǔ)價(jià)格開(kāi)始反彈，存儲(chǔ)市場(chǎng)重新步入上行周期。據(jù)相關(guān)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，上游存儲(chǔ)晶圓價(jià)格自2023 年第三季度開(kāi)始觸底反彈，至2024 年3 月已上漲30%。

2024年以來(lái)，當(dāng)前全球AI浪潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求爆發(fā)，疊加終端需求逐步回暖，晶圓代工產(chǎn)能利用率回升，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)加速?gòu)?fù)蘇，行業(yè)景氣度持續(xù)攀升，價(jià)格上漲幅度有所擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示，2024一季度全球半導(dǎo)體銷售額同比+15%，其中存儲(chǔ)表現(xiàn)亮眼，同比增長(zhǎng)86%。

目前DRAM和NAND Flash是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，其價(jià)格均出現(xiàn)了顯著上漲。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND Flash的價(jià)格在2024年持續(xù)上漲，且漲幅均超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期。2024年第一季度DRAM芯片合約價(jià)格上漲多達(dá)20%，NAND閃存上漲多達(dá)23%—28%。到2024年第二季度DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%，NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，延續(xù)了第一季度的強(qiáng)勁勢(shì)頭。

在全球市場(chǎng)的帶動(dòng)下，目前我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)也顯示出正在逐步復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，2023年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為5400億元。預(yù)計(jì)2024年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將恢復(fù)增長(zhǎng)至5513億元。

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除了上述資料佐證外，行業(yè)頭部企業(yè)的業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)也證明了市場(chǎng)回暖這一點(diǎn)。從國(guó)際巨頭來(lái)看，三星電子的2024年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)激增931%，接近10倍增長(zhǎng)，這一驚人的增長(zhǎng)無(wú)疑是震撼行業(yè)的一大“深水炸彈”，引起了全球科技界的廣泛關(guān)注。這主要是由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格的大幅回升，作為全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商，三星自然收獲了巨大的經(jīng)濟(jì)紅利。

全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也發(fā)布了2024年第一季度的財(cái)報(bào)，顯示盈利超過(guò)150億人民幣，而去年同期該公司還虧損了136億人民幣，其業(yè)績(jī)同樣非常亮眼。國(guó)際其他存儲(chǔ)芯片巨頭如鎧俠、西部數(shù)據(jù)等也提交了優(yōu)秀的季度報(bào)告，并預(yù)計(jì)第二季度價(jià)格將進(jìn)一步上漲20-25%。

從國(guó)內(nèi)部分頭部廠商方面來(lái)看：瀾起科技發(fā)布2024年半年報(bào)，上半年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入16.65億元，同比增長(zhǎng)79.49%；凈利潤(rùn)為5.93億元，同比增長(zhǎng)624.63%。瀾起科技表示，2024年上半年，一方面，行業(yè)需求實(shí)現(xiàn)恢復(fù)性增長(zhǎng)，DDR5（新一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）下游滲透率提升且DDR5子代迭代持續(xù)推進(jìn)，帶動(dòng)公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入同比大幅增長(zhǎng)；另一方面，公司部分AI高性能“運(yùn)力”芯片新產(chǎn)品開(kāi)始規(guī)模出貨，為公司貢獻(xiàn)新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。

江波龍半年報(bào)表示，公司2024年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入90.39億元，較上年同期增長(zhǎng)143.82%；凈利潤(rùn)為5.94億元，同比增長(zhǎng)199.64%。佰維存儲(chǔ)公告披露，2024年上半年公司上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入34.41億元，同比增長(zhǎng)199.64%；凈利潤(rùn)2.83億元，同比扭虧為盈。在半年報(bào)中，佰維存儲(chǔ)聲稱，數(shù)據(jù)的持續(xù)增長(zhǎng)將驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷提升，國(guó)產(chǎn)化率的提高將驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的迅速發(fā)展，AI技術(shù)革命將大大提升對(duì)高端存儲(chǔ)器的需求，以上三個(gè)要素為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了巨大的發(fā)展機(jī)遇。

此外存儲(chǔ)行業(yè)龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新上半年業(yè)績(jī)也實(shí)現(xiàn)回暖，2024年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入36.09億元，同比增長(zhǎng)21.69%；凈利潤(rùn)為5.17億元，同比增長(zhǎng)53.88%。公司表示，經(jīng)歷2023年市場(chǎng)需求低迷和庫(kù)存逐步去化后，2024年上半年消費(fèi)、網(wǎng)通市場(chǎng)出現(xiàn)需求回暖，帶動(dòng)公司存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)品銷量和營(yíng)收增長(zhǎng)。

三 、DRAM和NAND Flash這兩種存儲(chǔ)技術(shù)各自占據(jù)市場(chǎng)重要份額

存儲(chǔ)芯片可分為易失性存儲(chǔ)芯片（斷電后易丟失數(shù)據(jù)）和非易失性存儲(chǔ)芯片（斷電后仍保存數(shù)據(jù)）兩類。如下圖所示，常見(jiàn)的易失性存儲(chǔ)芯片有 DRAM 和 SRAM。非易失性存儲(chǔ)芯片包括 Flash（閃存）、ROM（只讀存儲(chǔ)器）等。

易失性存儲(chǔ)芯片可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱DRAM）兩類，SRAM 不需要周期性地刷新，速度比較快，但成本也較高，是利基存儲(chǔ)；DRAM需要周期性地刷新，速度較慢，但成本較低，是大宗存儲(chǔ)。

非易失性存儲(chǔ)芯片主要包括掩膜型只讀存儲(chǔ)器、可編程只讀存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱Flash）。目前快閃存儲(chǔ)器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash，其中NAND 是大宗存儲(chǔ)，NOR 是利基存儲(chǔ)。

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目前在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商參與生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)主要分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和NANDFlash（閃存存儲(chǔ)器）兩大類產(chǎn)品。這兩種存儲(chǔ)技術(shù)各自占據(jù)了市場(chǎng)的重要份額，共同構(gòu)成了存儲(chǔ)芯片行業(yè)的基石。其中還DRAM作為市場(chǎng)規(guī)模的佼佼者，其市場(chǎng)占比高達(dá)約55.9%。NAND Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在斷電的情況下，也能夠長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，市場(chǎng)占比約為44.0%。

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2024年以來(lái)DRAM營(yíng)收高增，漲價(jià)趨勢(shì)不改。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收成長(zhǎng)，2024年第二季整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)229億美元，季增24.8%。

存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格的持續(xù)上漲主要受兩重因素推動(dòng)，一是數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器DRAM的高需求，以及AI手機(jī)、AI PC等創(chuàng)新AI終端設(shè)備內(nèi)存配置提升的需求；二是HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）供不應(yīng)求，推動(dòng)DRAM買(mǎi)方轉(zhuǎn)為積極采購(gòu)。

HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的走紅也是一個(gè)積極因素。由于HBM支持GPU與CPU之間的高速數(shù)據(jù)傳輸，其應(yīng)用場(chǎng)景集中在高性能服務(wù)器的GPU顯存，小部分應(yīng)用于CPU內(nèi)存芯片。2023年上半年，HBM則乘著GPU的東風(fēng)狂漲500%。但因HBM技術(shù)門(mén)檻高，出貨量到現(xiàn)在也不算大。

四、下游應(yīng)用不斷拓展，服務(wù)器、手機(jī)、PC仍為存儲(chǔ)三大應(yīng)用

存儲(chǔ)芯片是終端電子產(chǎn)品的核心部件，目前已廣泛融入消費(fèi)電子、汽車電子以及智能家居等多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域。預(yù)計(jì)在5G通信、云計(jì)算以及AI等新興產(chǎn)業(yè)推動(dòng)下，存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求將呈現(xiàn)出顯著的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

一是AI服務(wù)器帶來(lái)存儲(chǔ)芯片的全新增量。對(duì)比普通服務(wù)器，AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)器的算力的需求更高，需要普通服務(wù)器8倍量的DRAM和3倍量的NAND。AI應(yīng)用如Chat GPT、Bing、文心一言等爆火，全球互聯(lián)網(wǎng)廠商在AIGC相關(guān)領(lǐng)域加大投資。綜合自動(dòng)駕駛技術(shù)、AIoT與邊緣運(yùn)算的需求上升，AI服務(wù)器需求有望快速增長(zhǎng)。2023年我國(guó)大陸AI服務(wù)器存儲(chǔ)價(jià)值市場(chǎng)規(guī)模均值為21.2億美元。

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二是汽車市場(chǎng)景氣度上升，對(duì)車用存儲(chǔ)器容量、處理速度以及算法要求提升，驅(qū)使存儲(chǔ)器技術(shù)加速更新迭代，有望實(shí)現(xiàn)銷量較大增長(zhǎng)，從而帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片大幅增長(zhǎng)。2023年汽車市場(chǎng)景氣度上升，對(duì)多種車用存儲(chǔ)器的需求與技術(shù)要求提升。根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)顯示，2023年我國(guó)汽車產(chǎn)銷累計(jì)完成3016.1萬(wàn)輛和3009.4萬(wàn)輛，同比別增長(zhǎng)11.6%和12%，產(chǎn)銷量創(chuàng)歷史新高，實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)較高增長(zhǎng)。2024年1-6月，我國(guó)汽車產(chǎn)銷分別完成1389.1萬(wàn)輛和1404.7萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)4.9%和6.1%。

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目前NAND和DRAM的增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自智能駕駛艙、ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）系統(tǒng)的升級(jí)以及配合5G與AI自動(dòng)駕駛的需求落地。據(jù)了解，智能駕駛艙主要使用NAND與DRAM產(chǎn)品，ADAS主要運(yùn)用DRAM、高密度NOR Flash產(chǎn)品以及用于智能傳感器的SLC Nand產(chǎn)品。ADAS和AI自動(dòng)駕駛對(duì)DRAM的容量、帶寬以及計(jì)算能力的要求不斷提高，同時(shí)需要大容量、高性能NAND支持信息儲(chǔ)存功能。

三是新型存儲(chǔ)器產(chǎn)品衍生提升存儲(chǔ)控制芯片價(jià)值。隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、AI發(fā)展及存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器出現(xiàn)新型產(chǎn)品形態(tài)，如計(jì)算型、分布式存儲(chǔ)和持久內(nèi)存等。這些新型存儲(chǔ)器對(duì)存儲(chǔ)控制芯片的架構(gòu)、功耗、多通道并行管理和數(shù)據(jù)安全要求更高，提升了存儲(chǔ)控制芯片在存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的價(jià)值。

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目前服務(wù)器、手機(jī)、PC仍為存儲(chǔ)三大應(yīng)用。數(shù)據(jù)顯示，2023年，以PC應(yīng)用為主的cSSD消耗了NAND Flash的26%，手機(jī)產(chǎn)品消耗了NAND Flash產(chǎn)能的34%，以服務(wù)器應(yīng)用為主eSSD消耗了NAND Flash總產(chǎn)能的14%，三類應(yīng)用占據(jù)NAND Flash總產(chǎn)能的74%。

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四、國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，為行業(yè)帶來(lái)新發(fā)展機(jī)遇

存儲(chǔ)芯片是未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲(chǔ)芯片的自主可控對(duì)我國(guó)新一輪信息化進(jìn)程的推進(jìn)具有十分重要的戰(zhàn)略意義。但眾所周知，芯片技術(shù)一直是中國(guó)科技進(jìn)步的短板。盡管國(guó)內(nèi)投入巨大的人力、物力和財(cái)力，誕生了華為海思、中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等杰出企業(yè)，但我國(guó)每年仍需進(jìn)口高達(dá)數(shù)千億美元的芯片，國(guó)產(chǎn)化率不足10%。到2023年我國(guó)芯片進(jìn)口總額達(dá)到了3494億美元，較2022年減少了15.4%，其中存儲(chǔ)芯片的進(jìn)口額約為900億美元。

同時(shí)值得注意的是，到了2023年年底，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格開(kāi)始上漲，市場(chǎng)預(yù)測(cè)2024年的價(jià)格將上升約50%。而如果進(jìn)口量保持不變，2024年我國(guó)的存儲(chǔ)芯片進(jìn)口成本將增加450億美元，總額達(dá)到1350億美元，約合人民幣9780億，幾乎達(dá)到萬(wàn)億。這將對(duì)我國(guó)的電子信息產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)經(jīng)濟(jì)構(gòu)成巨大壓力。這一數(shù)據(jù)凸顯了我國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化替代的緊迫性。

在此背景下，近年來(lái)我國(guó)政府加大了對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度，推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商近年來(lái)分別在DRAM與NAND技術(shù)追趕上進(jìn)展迅速，逐步向海外主流水平靠近，國(guó)產(chǎn)廠商市場(chǎng)份額也在逐步提升。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在技術(shù)上取得了顯著突破。例如一些企業(yè)成功研發(fā)出了高性能的DRAM和NAND Flash產(chǎn)品，并在制程工藝上不斷追趕國(guó)際先進(jìn)水平。中國(guó)科學(xué)院在光存儲(chǔ)技術(shù)上取得了突破，研發(fā)出1.6PB超大容量的三維光盤(pán)存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的變化。這些技術(shù)突破為國(guó)產(chǎn)替代提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。同時(shí)隨著國(guó)內(nèi)廠商技術(shù)的不斷突破，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望迎來(lái)發(fā)展黃金期。

隨著技術(shù)的成熟，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)開(kāi)始實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的量產(chǎn)。例如長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層3D NAND Flash產(chǎn)品，這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力已經(jīng)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。同時(shí)其他企業(yè)也在DRAM等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了產(chǎn)品的量產(chǎn)，進(jìn)一步推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)替代的進(jìn)程。

目前國(guó)內(nèi)有三家主要的存儲(chǔ)芯片制造商，分別是長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、福建晉華、兆易創(chuàng)新等。其中2017-2023年長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的份額從0增至10%以上，成為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上不容忽視的勢(shì)力之一；企業(yè)兆易在NOR Flash 全球市場(chǎng)中，其創(chuàng)新占據(jù)前三，同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角色。（WW）