一、行業(yè)相關(guān)概述
根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國晶圓代工行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀研究與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告(2024-2031年)》顯示,晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。目前國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以8英寸和12英寸為主。晶圓片是集成電路工藝的基本載體,在電子行業(yè)中占據(jù)著極其重要的地位。
晶圓代工是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一種商業(yè)模式,是半導(dǎo)體中游制造領(lǐng)域,指接受其他無晶圓廠半導(dǎo)體公司(Fabless)委托、專門從事晶圓成品的加工,并不自行從事產(chǎn)品設(shè)計(jì)與后端銷售。?晶圓代工打破了IDM單一模式,成就了晶圓代工 IC設(shè)計(jì)模式。目前,半導(dǎo)體行業(yè)垂直分工成為了主流,新進(jìn)入者大多數(shù)擁抱fabless模式,部分IDM廠商也在逐漸走向fabless(無晶圓)或者fablite(輕晶圓)模式。晶圓代工商業(yè)模式,大幅降低了芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的資本門檻,推動(dòng)全球芯片設(shè)計(jì)快速崛起,已取代IDM(垂直整合模式)成為半導(dǎo)體制造主流模式。
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二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期回暖發(fā)展帶動(dòng)晶圓代工市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)
晶圓代工作為半導(dǎo)體中游制造領(lǐng)域,整體需求受半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)景氣度影響較大。在經(jīng)歷2022-2023年市場(chǎng)低迷后,進(jìn)入2024年受存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片推動(dòng),半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷從底部開始的緩慢復(fù)蘇。晶圓代工廠方面,以先進(jìn)制程為主的臺(tái)積電業(yè)績(jī)持續(xù)高速增長(zhǎng),2024年二季度合并營(yíng)業(yè)收入高達(dá)208.20億美元,同比增長(zhǎng)32.80%,環(huán)比增長(zhǎng)10.30%。
成熟制程晶圓代工廠業(yè)績(jī)則漲跌不一,其中我國大陸廠商中芯國際表現(xiàn)亮眼,多項(xiàng)數(shù)據(jù)超市場(chǎng)預(yù)期,華虹半導(dǎo)體經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)也有所改善。2024年二季度,中芯國際實(shí)現(xiàn)銷售收入19.01億美元,同比增長(zhǎng)21.85%,環(huán)比增長(zhǎng)8.63%;華虹半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入為4.79億美元,同比下降24.21%,環(huán)比增長(zhǎng)4.03%。
半導(dǎo)體是持續(xù)支撐起中國科技創(chuàng)新發(fā)展的重要領(lǐng)域。目前我國正不斷增強(qiáng)資金投入,以推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的國產(chǎn)化,這也帶動(dòng)了我國晶圓代工市場(chǎng)發(fā)展。數(shù)據(jù)顯示,2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到12672.9億元(1795億美元),同比下降7.28%。預(yù)計(jì)隨著庫存調(diào)整的完成和自給自足能力的增強(qiáng),2024年我國半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模有望增長(zhǎng)至14042.5億元。
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晶圓代工行業(yè)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中的重要組成部分,主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造集成電路和微電子器件等。例如晶圓代工是向集成電路設(shè)計(jì)公司或電子廠商提供專門的制造服務(wù),有助于提高整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的成本效率。這種經(jīng)營(yíng)模式使得集成電路設(shè)計(jì)公司不需要自己承擔(dān)造價(jià)昂貴的生產(chǎn)線,就能生產(chǎn)、銷售產(chǎn)品。設(shè)計(jì)公司可以專注于芯片設(shè)計(jì)和創(chuàng)新,而制造公司則專注于提升生產(chǎn)工藝和良率,通過專業(yè)化分工降低整體生產(chǎn)成本。2023年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模為12276.9億元,同比增長(zhǎng)2.3%。
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隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展及產(chǎn)業(yè)鏈的逐漸完善,對(duì)晶圓需求量也不斷加大,從而推動(dòng)晶圓代工市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)。2023年我國晶圓制造業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售額3874億元,同比增長(zhǎng)0.5%。同時(shí)在國內(nèi)科學(xué)技術(shù)水平飛速提高、終端應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大、國際關(guān)系日益復(fù)雜的背景下,國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)公司對(duì)我國大陸晶圓代工的需求逐年提升。數(shù)據(jù)顯示,2018-2022年我國大陸晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模從391億元增長(zhǎng)至771億元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率為18.5%。預(yù)計(jì)到2024年我國大陸晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1178億元。
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雖然近年我國大陸晶圓代工市場(chǎng)得到較大發(fā)展,但由于技術(shù)發(fā)展水平、人才培養(yǎng)等方面的滯后性,以及企業(yè)資金實(shí)力不足等諸多原因,中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)的研發(fā)力量還較為薄弱、自主創(chuàng)新能力仍不足。就集成電路晶圓代工行業(yè)而言,在先進(jìn)工藝線寬這一關(guān)鍵指標(biāo)上,中國大陸企業(yè)在生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)人才等方面與業(yè)界龍頭企業(yè)還存在一定差距。在集成電路行業(yè)面臨全球范圍內(nèi)充分競(jìng)爭(zhēng)的背景下,中國大陸企業(yè)在與業(yè)界龍頭企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的過程中仍會(huì)在未來一段時(shí)間內(nèi)處于努力追趕的地位。
三、國內(nèi)產(chǎn)能加速擴(kuò)張,上海、北京、深圳是主要分布地區(qū)
近年來隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)需求增加,加上各國貿(mào)易的不穩(wěn)定,全球芯片供需出現(xiàn)失衡,國內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設(shè)新產(chǎn)線,以擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能。數(shù)據(jù)顯示,截至2023年,我國6英寸及以上的晶圓制造生產(chǎn)線(不包含在建和中試線)共計(jì)63條,主要分布在上海、北京及深圳地區(qū)。其中12英寸的生產(chǎn)線達(dá)40條,實(shí)際產(chǎn)能約為每月140萬片(折合8英寸為每月315萬片);8英寸的生產(chǎn)線有49條,產(chǎn)能約為每月140萬片;6英寸的則為 77條,產(chǎn)能約為每月180萬片(折合8英寸為每月101萬片)。
2023年我國大陸晶圓制造產(chǎn)能分布
地點(diǎn) |
晶圓廠 |
工藝制程 |
尺寸 |
規(guī)劃產(chǎn)能(萬片/月) |
|
中芯國際 |
上海 |
中芯南方SN1 |
14nm FinFET |
12 |
3.5 |
上海 |
中芯上海S1 Fab1 |
0.35um-90nm |
8 |
13.5 |
|
上海 |
中芯上海S1 Fab2 |
0.35um-90nm |
8 |
— |
|
華虹集團(tuán) |
上海 |
華力一期Fab5 |
65nm/55nm, 40nmLogic,RF, CIS,HV, eNVM |
12 |
4 |
上海 |
華力二期Fab6 |
28nm/22nmLogic, RF, CIS, eNVM |
12 |
4 |
|
上海 |
華虹宏力Fab1 |
1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS |
8 |
17 |
|
上海 |
華虹宏力Fab2 |
— |
8 |
17.8 |
|
上海 |
華虹宏力Fab3 |
— |
8 |
— |
|
積塔半導(dǎo)體 |
上海 |
Fab6 |
55nm特色工藝先導(dǎo)線(一階段)40/28nm汽車電子芯片生產(chǎn)線(二階段) |
12 |
5 |
上海 |
Fab5 |
0.35-0.11um,模擬、功率器件 |
8 |
8 |
|
上海 |
Fab3 |
0.5-2.5um BCD,數(shù)模混合 |
8 |
3 |
|
上海 |
Fab2 |
1.0-0.8um BCD, IGBT |
6 |
7 |
|
上海 |
Fab7 |
SiC MOSFET |
6 |
3 |
|
鼎泰匠芯 |
上海 |
— |
0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog |
12 |
3 |
臺(tái)積電 |
上海 |
Fab10 |
0.35-0.18μm CMOS |
8 |
12 |
中芯國際 |
北京 |
中芯北京B1 Fab4 |
90nm-55nm |
12 |
6.5 |
中芯北方B2 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
中芯北方B3 |
65nm-28nm |
12 |
— |
||
中芯京城FAB3P1 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
燕東微 |
北京 |
— |
65nm功率器件、顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理、硅光芯片 |
8 |
5 |
北京 |
— |
90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS |
8 |
3 |
|
賽微電子 |
北京 |
Fab3 |
0.25um-lum MEMS BAW |
8 |
3 |
中芯國際 |
深圳 |
中芯深圳G2 Fab16 |
65nm-28nm |
12 |
4 |
深圳 |
中芯深圳G1 Fab15 |
0.35μum-0.15μum |
8 |
7 |
|
方正微 |
深圳 |
Fab1 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC |
6 |
5 |
深圳 |
Fab2 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC |
6 |
||
深愛半導(dǎo)體 |
深圳 |
— |
DMOS、MOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC |
6 |
4 |
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目前我國晶圓代工主要形成了以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)系、以北京為核心的環(huán)渤海地區(qū)以及以深圳為核心灣區(qū)。其中以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)系是我國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最扎實(shí)、產(chǎn)業(yè)鏈布局最完整、技術(shù)積累最豐厚的區(qū)域,整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國比約50%。基本涵蓋各類原材料、半導(dǎo)體設(shè)備、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造與封裝測(cè)試,尤以芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造見長(zhǎng),擁有中芯國際、上海華虹、積塔半導(dǎo)體等國內(nèi)晶圓代工領(lǐng)軍企業(yè)。
而以深圳為核心灣區(qū)的大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體布局不如長(zhǎng)三角,尤以芯片設(shè)計(jì)見長(zhǎng),晶圓制造板塊相對(duì)薄弱,但最近幾年接連投資多個(gè)重大項(xiàng)目,正奮力追趕,晶圓制造企業(yè)代表有中芯國際深圳、方正微、鵬芯微、比亞迪半導(dǎo)體等企業(yè)。
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